单光子探测InGaAs/InP 雪崩光电二极管

报告人
高新江 研究员
单位
中国电子科技集团公司重庆声光电有限公司
时间
2016-03-09 (周三) 10:00
地点
理化楼三楼大报告厅
摘要

介绍单光子探测InGaAs/InP 雪崩光电二极管原理与特性、技术发展与国内外差距、声光电公司工艺技术情况,交流应用发展对探测器需求目标和技术路线,最后介绍声光电公司情况与能力基础。